原子層沉積(atomiclayer deposition,ALD)技術(shù),亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy,ALE)技術(shù),是一種基于有序、表面自飽和反應(yīng)的化學氣相薄膜沉積技術(shù)。所謂的原子層沉積技術(shù),是指通過將氣相前驅(qū)體交替脈沖通入反應(yīng)室并在沉積基體表面發(fā)生氣固相化學吸附反應(yīng)形成薄膜的一種方法。
1.技術(shù)參數(shù)
2.測試結(jié)果
3.應(yīng)用
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